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STB11NM60N-1中文资料PDF规格书
STB11NM60N-1规格书详情
Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STB11NM60N-1
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST意法半导体 |
24+23+ |
TO-262 |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ST |
TO220 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
STM |
RoHSCompliant |
Tape&Reel |
1000 |
neworiginal |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-262 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
NA |
03+ |
SOT |
3000 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
TO263 |
265209 |
假一罚十,原包原标签,常备现货 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
I2PAK |
15000 |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-262 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 |
