首页>STB11NM60N-1>规格书详情

STB11NM60N-1中文资料PDF规格书

STB11NM60N-1
厂商型号

STB11NM60N-1

功能描述

N-channel 600V - 0.37廓 - 10A - TO-220/FP- I/I2PAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

489.4 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-15 20:00:00

STB11NM60N-1规格书详情

Description

This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STB11NM60N-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA/
3300
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
ST
2016+
TO220
6528
只做进口原装现货!假一赔十!
询价
ST
08+
TO-262
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ST
21+
TO220
20000
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票
询价
ST
TO220
93480
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价
ST/意法
TO263
265209
假一罚十,原包原标签,常备现货
询价
ST专家
2022
D2PAK
5880
原厂原装正品,价格超越代理
询价
ST-意法半导体
24+25+/26+27+
TO-262-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
ST
17+
I2PAK
6200
询价
ST
23+
TO-263
9896
询价