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STAC1214-250中文资料250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR数据手册ST规格书

| 厂商型号 |
STAC1214-250 |
| 参数属性 | STAC1214-250 封装/外壳为STAC265B;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:250W 36V 1200-1400 MHZ LDMOS TRA |
| 功能描述 | 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR |
| 封装外壳 | STAC265B |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-7 10:10:00 |
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STAC1214-250规格书详情
描述 Description
The STAC1214-250 is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for L band radar applications.
特性 Features
• Excellent thermal stability
• Common source configuration push-pull
• POUT= 250 W with 14 dB gain over 1200 - 1400 MHz
• ST air cavity / STAC® package
简介
STAC1214-250属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由ST制造生产的STAC1214-250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:STAC1214-250
- 生产厂家
:ST
- Package
:STAC265B
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Frequency_nom(MHz)
:1400
- Output Power_nom(W)
:250
- Power Gain_nom(dB)
:14
- Transistor Supply Voltage_nom(V)
:36
- Efficiency_nom(%)
:50
- R_th(J-C)_max
:0.14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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