STA485数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
STA485 |
| 参数属性 | STA485 封装/外壳为10-SIP；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP |
| 功能描述 | NPN Darlington With built-in avalanche diode |
| 封装外壳 | 10-SIP |
| 制造商 | Sanken Sanken electric |
| 中文名称 | 三垦 三垦电气株式会社 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
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STA485规格书详情
简介
STA485属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的STA485晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 产品编号：
STA485A
- 制造商：
Sanken
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
100V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，4V
- 功率 - 最大值：
4W
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
10-SIP
- 供应商器件封装：
10-SIP
- 描述：
TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANKEN |
24+ |
NA/ |
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SANKEN |
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23+ |
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SANKEN |
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