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STA458C	文件：31.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPNPN H-bridge 文件：31.1 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken
STA458C	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNPNPN H-bridge	Sanken 三垦	Sanken
STB458D	文件：274.77 Kbytes Page：11 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 100V 2.0A 216 @ VGS=10V 328 @ VGS=4.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -100V -1.3A 547 @ VGS=-10V 614 @ VGS=-4.5V 文件：274.77 Kbytes 页数：11 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STU458S	文件：2.61171 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.61171 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STUD458S	文件：116.21 Kbytes Page：8 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：116.21 Kbytes 页数：8 Pages	Samhop 三合微科	Samhop

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