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ADS6129IRGZR	文件：2.39812 Mbytes Page：71 Pages	14/12-Bit,250/210MSPSADCsWithDDRLVDSandParallelCMOSOutputs	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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ADS6129IRGZT	文件：2.16596 Mbytes Page：70 Pages	14/12-Bit,250/210MSPSADCsWithDDRLVDSandParallelCMOSOutputs	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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ADS6129IRGZT	文件：2.14202 Mbytes Page：68 Pages	14/12-Bit,250/210MSPSADCsWithDDRLVDSandParallelCMOSOutputs	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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IDT6129	文件：67.26 Kbytes Page：7 Pages	CMOSSTATICRAM256K(64Kx4-BIT) DESCRIPTION: ThelDT61298SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas64Kx4.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesignechniques,providesacost-effectiveapproachformem	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
MAX6129	文件：556.43 Kbytes Page：15 Pages	Ultra-Low-PowerSeriesVoltageReference	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
NTE6129	文件：21.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,700Amp Features: ●HighPower,FastRecoveryTime ●HighCurrentCapability ●LowForwardRecovery Applications: ●SnubberDiodeforGTO ●HighVoltageFree–WheelingDiode ●FastRecoveryRectifierApplications	NTE NTE Electronics	NTE

产品属性

产品编号：
ST6129T
制造商：
Pulse Electronics Network
类别：
变压器 > 脉冲变压器
包装：
托盘
匝数比 - 初级：
2CT：1CT
安装类型：
表面贴装型
大小 / 尺寸：
0.988" 长 x 0.505" 宽（25.10mm x 12.83mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.242"（6.15mm）
描述：
MODULE TRANSFRMR SNGL 10/100B-TX

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