ST2310DHI分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
ST2310DHI |
参数属性 | ST2310DHI 封装/外壳为ISOWATT-218-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
文件大小 |
247.38 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-25 18:06:00 |
ST2310DHI规格书详情
DESCRIPTION
The device is manufactured using Diffused Collector technology for more stable operation Vs base drive circuit variations resulting in very low worst case dissipation.
■ NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE
■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
■ INTEGRATED FREE WHEELING DIODE
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)
■ HIGH SWITCHING SPEED
■ TIGTHER hfe CONTROL
■ IMPROVED RUGGEDNESS
APPLICATIONS:
■ HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVS
ST2310DHI属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的ST2310DHI晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
ST2310DHI
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 1.75A,7A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
5.5 @ 7A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
ISOWATT-218-3
- 供应商器件封装:
ISOWATT-218
- 描述:
TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO3PF |
990000 |
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ST |
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TO-3P |
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22+ |
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TO3P |
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