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ST2310DHI分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ST2310DHI
厂商型号

ST2310DHI

参数属性

ST2310DHI 封装/外壳为ISOWATT-218-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

文件大小

247.38 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 18:06:00

ST2310DHI规格书详情

DESCRIPTION

The device is manufactured using Diffused Collector technology for more stable operation Vs base drive circuit variations resulting in very low worst case dissipation.

■ NEW SERIES, ENHANCED PERFORMANCE

■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING

■ INTEGRATED FREE WHEELING DIODE

■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)

■ HIGH SWITCHING SPEED

■ TIGTHER hfe CONTROL

■ IMPROVED RUGGEDNESS

​​​​​​​

APPLICATIONS:

■ HORIZONTAL DEFLECTION HIGH END TVS

ST2310DHI属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的ST2310DHI晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    ST2310DHI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 1.75A,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5.5 @ 7A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    ISOWATT-218-3

  • 供应商器件封装:

    ISOWATT-218

  • 描述:

    TRANS NPN 600V 12A ISOWATT-218

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