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NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highcurrentapplication Features •HighhFE:hFE=160~320 •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.) | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
NPNSiliconTransistor | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI | ||
SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
2.0AMPSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
Voltage50~600V2.0AmpSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
2.0AMPSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
Voltage50~600V,2.0AmpSurfaceMountSuperFastRecoveryRectifiers | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
P-ChannelMOSFETPNPBJT | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI |
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