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ST2001FX	文件：249.79 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectortechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHVOLTAGECAP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST2001FX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOWATT218FX；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218FX	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST2001HI	文件：67.24 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheST2001HIismanufacturedusingDiffusedCollectortechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCHEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING ■HIGHVOLTAGECAPABILITY ■HIG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STE2001	文件：342.56 Kbytes Page：36 Pages	65X128SINGLECHIPLCDCONTROLLER/DRIVER DESCRIPTION TheSTE2001isalowpowerCMOSLCDcontrollerdriver.Designedtodrivea65rowsby128columnsgraphicdisplay,providesallnecessaryfunctionsinasinglechip,includingon-chipLCDsupplyandbiasvoltagesgenerators,resultinginaminimumofexternalscomponentsandinavery	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STV2001	文件：528.63 Kbytes Page：46 Pages	I2CSINGLEFREQUENCYDEFLECTIONPROCESSORAND120MHzRGBPREAMPLIFIER DESCRIPTION TheSTV2001isanI2C-controlledmonolithicintegratedcircuitassembledinaTQFP44plasticpackage.Itcombinesbothadeflectionblock(horizontalandvertical,singlefrequencywithverypowerfulgeometrycorrection)anda120MHzRGBpre-amplifier. FEATURES Horizontaldeflection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SUF2001	文件：638.89 Kbytes Page：13 Pages	DualNandP-channelTrenchMOSFET	AUK AUK corp	AUK
SUF2001	文件：356 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENTPLASTICSILICONRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:2.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:2.0A FEATURE Lowpowerloss Highsurgecapability Ultrafastrecoverytimeforhighefficiency Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SUF2001	文件：541.45 Kbytes Page：13 Pages	30VDualN-andP-channelTrenchMSFET Features •LowVGS(th):VGS(th)=1.0~3.0V •Smallfootprintduetosmallpackage •LowRGDS(on):N-ch,RDS(on)=24mΩ(@VGS=10V,ID=2.9A) P-ch,RDS(on)=66mΩ(@VGS=-10V,ID=-2.7A)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SUF2001	文件：1.74841 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SUV2001CIL	文件：42.75 Kbytes Page：2 Pages	LampsforPhotolithography Description PerkinElmerOptoelectronicsisaleadingmanufacturerofmercuryshortarclampsranginginoutputpowerfrom1000to8000watts.Theselampsareusedintheproductionofprintedcircuitboards,liquidcrystaldisplaysandsemiconductors.TheHSHSerieslampsareusedworldwideinmi	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer

产品属性

产品编号：
ST2001FX
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.25A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 6A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
ISOWATT218FX
供应商器件封装：
ISOWATT-218FX
描述：
TRANS NPN 600V 10A ISOWATT-218FX

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