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ST18N10D	文件：619.31 Kbytes Page：6 Pages	TO-252 Package design	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
18N10	文件：67.86 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GLU18N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
GLX18N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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HMS18N10D	文件：1.35968 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS18N10Q	文件：1.00807 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
MCU18N10	文件：613.16 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
RFM18N10	文件：38.36 Kbytes Page：5 Pages	18A,80Vand100V,0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP18N10	文件：38.36 Kbytes Page：5 Pages	18A,80Vand100V,0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
SSPR18N10	文件：406.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
YJG18N10A	文件：563.93 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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