| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
ST18N10D | TO-252 Package design 文件：619.31 Kbytes 页数：6 Pages | STANSON 司坦森 | STANSON | |
ST18N10D | Tranch MOSFET | Stanson 司坦森 | Stanson | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：563.93 Kbytes 页数：6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 | YANGJIE | ||
Fast Switching 文件：67.86 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 18N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：637.74 Kbytes 页数：6 Pages | GOFORD 谷峰半导体 | GOFORD | ||
SURFCOIL SMT INDUCTORS 文件：135.45 Kbytes 页数：12 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
司坦森 |
2447 |
TO-252 |
105000 |
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ST |
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STANSON |
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STANSON(司坦森) |
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TO-252-2 |
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
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ST |
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TO-252 |
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ST |
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TO-252 |
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TO-252 |
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国产 |
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ST |
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TO-252 |
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SST |
原厂封装 |
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更新时间2025-12-10 15:01:00
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