选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRMODULE |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRMODULE |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRMODULE |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
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IRMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司6年
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IR |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IR |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRMODULE |
2100 |
16+ |
一级代理/全新原装现货 供应!!! |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IR标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
ST083S08P采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ST083S08P图片
ST083S08PFN0中文资料Alldatasheet PDF
更多ST083S08PFK0制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INVERTER GRADE THYRISTORS
ST083S08PFK1制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INVERTER GRADE THYRISTORS
ST083S08PFM0功能描述:SCR 800 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFM0P功能描述:SCR 135 Amp 800 Volt 135 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFM1功能描述:SCR 135 Amp 800 Volt 135 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFM1P功能描述:SCR 135 Amp 800 Volt 135 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFN0功能描述:SCR 800 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFN1功能描述:SCR 800 Volt 85 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFN2功能描述:SCR 135 Amp 800 Volt 135 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):5 uA 开启状态:RMS 电流(It_RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压(Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流(Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube
ST083S08PFNO功能描述:Power Semiconductor