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SWP7N60A

N-channelMOSFET

GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

TFF7N60

N-ChannelPowerMOSFET7A,600V,1.2廓

TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd

德昌电子德昌电子(集团)有限公司

TFP7N60

N-ChannelPowerMOSFET7A,600V,1.2廓

TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd

德昌电子德昌电子(集团)有限公司

TSF7N60M

N-Channel650V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

TSM7N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSM7N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSP7N60S

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

UGP7N60

600V,SMPSN-CHANNELIGBT

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

WFF7N60

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFF7N60

N-ChannelMOSFET

WISDOM

Wisdom technologies Int`l

详细参数

  • 型号:

    SSW7N60BTM

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SSW7N60BTM供应商 更新时间2025-5-26 9:11:00