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TFP10N60	文件：3.22886 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET10A,600V,0.75廓	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
TMA10N60H	文件：910.53 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TSF10N60C	文件：1.24445 Mbytes Page：7 Pages	10.3A,600VInsulatedN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
TSM10N60	文件：379.95 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM10N60N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalanche	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM10N60	文件：399.3 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM10N60CI	文件：1.10765 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSP10N60C	文件：1.00197 Mbytes Page：7 Pages	10.3A,600VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
TSP10N60M	文件：1.10764 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSP10N60S	文件：1.03494 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UT10N60	文件：1.03491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SSW10N60B
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/7A/1.2OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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