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SST4118-T1-E3中文资料JFET N-CH 70V 80UA SOT-23数据手册Vishay规格书

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厂商型号

SST4118-T1-E3

参数属性

SST4118-T1-E3 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 70V 80UA SOT-23

功能描述

JFET N-CH 70V 80UA SOT-23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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SST4118-T1-E3规格书详情

简介

SST4118-T1-E3属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由Vishay制造生产的SST4118-T1-E3晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

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  • 制造商编号

    :SST4118-T1-E3

  • 生产厂家

    :Vishay

  • 电压 - 击穿(V(BR)GSS)

    :40V

  • 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)

    :80µA @ 10V

  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)

    :1V @ 1nA

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :3pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    :350mW

  • 工作温度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23

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