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SST38VF6403B-70I/CD	文件：1.127 Mbytes Page：56 Pages	64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus Description The SST38VF6401B, SST38VF6402B, SST38VF6403B, and SST38VF6404B devices are 4M x16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) manufactured with Microchip proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling inje 文件：1.127 Mbytes 页数：56 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
SST38VF6403B-70I/CD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
SST38VF6403B-70I/TV	文件：1.127 Mbytes Page：56 Pages	64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus Description The SST38VF6401B, SST38VF6402B, SST38VF6403B, and SST38VF6404B devices are 4M x16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) manufactured with Microchip proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling inje 文件：1.127 Mbytes 页数：56 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
SST38VF6403B-70ISLASHCD	文件：1.127 Mbytes Page：56 Pages	64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus Description The SST38VF6401B, SST38VF6402B, SST38VF6403B, and SST38VF6404B devices are 4M x16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) manufactured with Microchip proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling inje 文件：1.127 Mbytes 页数：56 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
SST38VF6403B-70ISLASHTV	文件：1.127 Mbytes Page：56 Pages	64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus Description The SST38VF6401B, SST38VF6402B, SST38VF6403B, and SST38VF6404B devices are 4M x16 CMOS Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) manufactured with Microchip proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling inje 文件：1.127 Mbytes 页数：56 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
SST38VF6403B-70I/CD
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SST38
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存
存储容量：
64Mb（4M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10µs
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA

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