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SST29VE010-200-4I-NH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology，Inc.	SST
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SST29VE010-200-4C-N	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1Megabit(128Kx8)PageModeEEPROM	SST Silicon Storage Technology，Inc.	SST
SST29VE010-200-4C-NH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1Mbit(128Kx8)Page-ModeEEPROM PRODUCTDESCRIPTION The29EE010/29LE010/29VE010are128Kx8CMOSpagemodeEEPROMsmanufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplitgatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalterna	SST Silicon Storage Technology，Inc.	SST
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详细参数

型号：
SST29VE010-200-4I-NH
功能描述：
闪存 U 804-29VE01020CNH
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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更多SST29VE010-200-4I-NH供应商更新时间2024-4-30 15:09:00

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