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SST29LF010-150-4C-EH	文件：326.04 Kbytes Page：26 Pages	2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST29EE/LE/VE020 are 256K x8 CMOS Page-Write EEPROM manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate appro 文件：326.04 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LF010-150-4C-NH	文件：326.04 Kbytes Page：26 Pages	2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST29EE/LE/VE020 are 256K x8 CMOS Page-Write EEPROM manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate appro 文件：326.04 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LF010-150-4I-EH	文件：326.04 Kbytes Page：26 Pages	2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST29EE/LE/VE020 are 256K x8 CMOS Page-Write EEPROM manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate appro 文件：326.04 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LF010-150-4I-WH	文件：326.04 Kbytes Page：26 Pages	2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST29EE/LE/VE020 are 256K x8 CMOS Page-Write EEPROM manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate appro 文件：326.04 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

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