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SST29LE010-200-4C-PH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LE010-200-4C-PH	文件：267.81 Kbytes Page：26 Pages	1 Megabit (128K x8) Page-Mode EEPROM 文件：267.81 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LE010-200-4C-PH	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM 文件：882.72 Kbytes 页数：27 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LE010-200-4C-U	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM 文件：882.72 Kbytes 页数：27 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LE010-200-4C-UH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29LE010-200-4C-UH	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM 文件：882.72 Kbytes 页数：27 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

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