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SST29EE010-90-4C-UH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-90-4C-UH	文件：267.81 Kbytes Page：26 Pages	1 Megabit (128K x8) Page-Mode EEPROM 文件：267.81 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-90-4C-UH	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM 文件：882.72 Kbytes 页数：27 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-90-4C-W	文件：882.72 Kbytes Page：27 Pages	1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM 文件：882.72 Kbytes 页数：27 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-90-4C-WH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-90-4C-WH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM 文件：458.14 Kbytes 页数：30 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

详细参数

型号：
SST29EE010-90-4C-UH
制造商：
SST
制造商全称：
Silicon Storage Technology, Inc
功能描述：
1 Megabit(128K x8) Page-Mode EEPROM

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深圳市一线半导体有限公司	SST29EE010-90-4C-WH	SST	24+	TSOP	5567		询价
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更多SST29EE010-90-4C-UH供应商更新时间2025-11-25 15:30:00

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