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SST29EE010-70-4C-NH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4C-NH	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM 文件：458.14 Kbytes 页数：30 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4C-NHE	文件：458.14 Kbytes Page：30 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Write EEPROM 文件：458.14 Kbytes 页数：30 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST29EE010-70-4C-PH	文件：326.37 Kbytes Page：26 Pages	1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The 29EE010/29LE010/29VE010 are 128K x 8 CMOS page mode EEPROMs manufactured with SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alterna 文件：326.37 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
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详细参数

型号：
SST29EE010-70-4C-NH
功能描述：
闪存 128K X 8 70ns
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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