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SST28VF040A-200-4C-EH	文件：323.43 Kbytes Page：24 Pages	4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST28SF/VF040A are 512K x8 bit CMOS Sector Erase, Byte-Program EEPROMs. The SST28SF/VF040A are manufactured using SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash EEPROM Technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability 文件：323.43 Kbytes 页数：24 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST28VF040A-200-4C-EH	文件：339.59 Kbytes Page：26 Pages	4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM 文件：339.59 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST28VF040A-200-4C-NH	文件：323.43 Kbytes Page：24 Pages	4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST28SF/VF040A are 512K x8 bit CMOS Sector Erase, Byte-Program EEPROMs. The SST28SF/VF040A are manufactured using SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash EEPROM Technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability 文件：323.43 Kbytes 页数：24 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST28VF040A-200-4C-NH	文件：339.59 Kbytes Page：26 Pages	4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM 文件：339.59 Kbytes 页数：26 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST
SST28VF040A-200-4C-PH	文件：323.43 Kbytes Page：24 Pages	4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM PRODUCT DESCRIPTION The SST28SF/VF040A are 512K x8 bit CMOS Sector Erase, Byte-Program EEPROMs. The SST28SF/VF040A are manufactured using SST’s proprietary, high performance CMOS SuperFlash EEPROM Technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability 文件：323.43 Kbytes 页数：24 Pages	SST Silicon Storage Technology, Inc	SST

详细参数

型号：
SST28VF040A-200-4C-E
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 512K X 8 200ns
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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