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GLY10N05

SURFCOILSMTINDUCTORS

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GLZ10N05

SURFCOILSMTINDUCTORS

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GLZP10N05

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MTD10N05E

TMOS4POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TMOSIV PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

MTD10N05E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SDD10N05

10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

SDD10N05

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

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更多SSP10N05功率三极管供应商 更新时间2024-6-22 17:35:00