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SSM6N58NU_V01	文件：274.24 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 84 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 117 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) 文件：274.24 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多SSM6N58NU_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00