丝印：KFV；Package：TSOP6F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 4.0-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 86 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 73 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

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TOSHIBA

东芝

Small-signal MOSFET

Application ScopePower Management Switches\nPolarityP-ch\nGenerationU-MOSⅥ

Toshiba

东芝

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UDFN6B

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SUPER超致
TO-220

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