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SSM6J512NU_V01	文件：441.39 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 24.0 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 18.3 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 14.3 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V) 文件：441.39 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多SSM6J512NU_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00