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SSM6J502NU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 60.5 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 38.4 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 28.3 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 23.1 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

文件:433.66 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM6K504NU

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM6K504NUMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSP20N60S

SUPER超致
TO-220

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更多SSM6J502NU_V01供应商 更新时间2025-10-10 13:01:00