SSM5N15FE中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM5N15FE规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch×2
Internal Connection：Common source
Component Product (Q1)：SSM3K15FU
Component Product (Q2)：SSM3K15FU
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Drain current (Q1) ID 0.1 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-20 V
Drain current (Q2) ID 0.1 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS 30 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-20 V
Power Dissipation PD 0.15 W
技术参数
- 制造商编号
：SSM5N15FE
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch x 2
- VDSS(V)
：30
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：0.1
- PD(W)
：0.15
- Ciss(pF)
：7.8
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
：7.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
：4.0
- Number of pins
：5
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：ESV
- Generation
：π-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
- Package Size(mm^2)
：2.56
- Drive voltage type
：Low Voltage Gate Drive
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