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SSM3J356RLF	文件：244.56 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications •PowerManagementSwitches Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=400mΩ(max)(@VGS=-4.0V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SSM3J356RLXGF	文件：244.56 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOSVI) Applications •PowerManagementSwitches Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=400mΩ(max)(@VGS=-4.0V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3J356RLXHF	文件：244.56 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOSVI) Applications •PowerManagementSwitches Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=400mΩ(max)(@VGS=-4.0V) RDS(ON)=300mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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更多SSM3J356RLF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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