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SSM3J130TU,LF	文件：208.382 Kbytes Page：6 Pages	注:在重负荷下连续使用(例如高负荷的应用温度/电流/电压的显著变化温度等)可能会导致本产品的下降即使在操作条件下(例如:工作温度/电流/电压等绝对最大额定参数。请设计适当的可靠性审查	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳兆威电子有限公司	ETC
SSM3J130TU	文件：192.75 Kbytes Page：6 Pages	Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? ○PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=63.2mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=41.1mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=31.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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注:在重负荷下连续使用(例如高负荷的应用温度/电流/电压的显著变化温度等)可能会导致本产品的下降即使在操作条件下(例如:工作温度/电流/电压等绝对最大额定参数。请设计适当的可靠性审查

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Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS??

○PowerManagementSwitchApplications •1.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=63.2mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=41.1mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=31.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V)

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更多SSM3J130TU,LF供应商更新时间2024-6-18 10:45:00

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