SSI7N60B数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号：
SSI7N60B
- 功能描述：
MOSFET 600V Single
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
仙童 |
05+ |
TO-262 |
2500 |
原装进口 |
询价 | ||
QUALCOMM |
24+ |
BGA |
2860 |
低价现货抛售(美国 香港 新加坡) |
询价 | ||
TDK |
08+ |
DIP |
413 |
普通 |
询价 | ||
D |
21+ |
CDIP |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
TDK/东电化 |
2022+ |
DIP |
413 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
TDK |
2022 |
DIP22 |
1600 |
询价 | |||
D |
23+ |
CDIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TDK/东电化 |
2022+ |
DIP |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
SSI |
23+ |
CDIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SILICONSY |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
