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UTR2310	文件：151.46 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION Smallsizeandhighsurgecapabilitymakethisseriesofpowerswitchingrectifiersdesirableforpowersupplieswheresize,weightandreliabilityareimportant. FEATURES ●ContinuousRating:to4A ●ControlledAvalanche ●SurgeRating:to100A ●PIV:to600V ●MiniaturePackag	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UTR2310	文件：153.55 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
VBA2310	文件：600.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBZ2310	文件：483.19 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VDA2310CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2310NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
WNM2310	文件：5.05356 Mbytes Page：7 Pages	IntegratedN-ChannelPowerMOSFETAndSchottkyBarrierDiode	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WT2310	文件：950.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET DRAINCURRENT3AMPERS DRAINSOUCEVOLTAGE60VOLTAGE Features: *SuperHighDenseCellDesignForLowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
WTC2310	文件：517.62 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WTC2310	文件：893.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSG2310B-C供应商更新时间2025-7-26 17:26:00

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