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SSG200EF60E

200 A, 600 V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Diode

• Outstanding Current Capability \n• Low On-State Conductive Losses\n• Very Simple Gate Drive Design\n• Improved SOA Characterization\n• Low Input Capacitance\n• High Reverse Voltage Rating Available\n• TX, TXV, S-Level Screening Available;

SSDI

SSG200EF60E

200 AMP N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE 600 VOLTS

文件:131.21 Kbytes 页数:2 Pages

SSDI

SSG9475

SECOS
SOP-8

SECOS

喜可士

上传:深圳市凌旭科技有限公司

SSH-003GA-P0.2

JST
N/A

SSH-003T-P0.2

JST
N/A

JST

JST集团

上传:深圳权泰科技有限公司

技术参数

  • Ic [A]:

    200

  • Vce (sat) typ [V]:

    1.65

  • Vce (sat) max [V]:

    2.00

  • Pd [W]:

    625

  • t(off) typ [nsec]:

    900.00

  • t(off) max [nsec]:

    1500

  • Package:

    Milpack III

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SSG200EF60E供应商 更新时间2025-10-10 10:01:00