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SSG42N60N	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60NDB	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60NUB	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60P	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60PDB	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60PUB	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG42N60S2	文件：31.41 Kbytes Page：2 Pages	50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SSG4362N	文件：508.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSG4362N	文件：1.20804 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSG4362N_15	文件：508.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

更多SSG供应商更新时间2025-7-26 11:04:00