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YRS-1330	文件：1.01138 Mbytes Page：9 Pages	Crimpingmachinesandtools	JSTJST Mfg. Co., Ltd. JST集团日本圧着端子製造株式会社	JST
Z1330	文件：22.7 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
Z1330	文件：397.584 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
Z1330A	文件：773.75 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●HighpeakreversepowerdissipationLead ●RoHScompliant ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
Z1330A	文件：107.36 Kbytes Page：5 Pages	1.0WZENERDIODE GlassPassivatedDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–330VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
Z1330A	文件：240.45 Kbytes Page：3 Pages	AxialLeadZenerDiodes	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
Z1330A	文件：394.369 Kbytes Page：3 Pages	1W330VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
Z1330A-G	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	Glasspassivatedchip. ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
Z1330C	文件：83.98 Kbytes Page：1 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:220-380Volts PD:1Watt FEATURES: Completevoltagerange220to380Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent Pb/RoHSFree MECHANICALDATA Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretarda	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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