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ST9011

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintosixgroups,D,E,F,G,HandI,accordingtoitsDCcurrentgain. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

TEC9011

SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS)

FMIF,OSCANDAMCONV,IFAMPLIFIERAPPLICATIONS FEATURES .ExcellentNoiseFigureNF=2.0dB(Typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TL9011

RFLimitingAmplifier

SPECTRUM

Spectrum Instrumentation GmbH

TL9011

RFLIMITER

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

TL9011

RFLIMITERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TNL9011

RFLIMITERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TS9011

250mALowQuiescentCurrentCMOSLDO

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS9011

250mALowQuiescentCurrentCMOSLDO

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS9011

250mACMOSLowDropoutVoltageRegulator

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS9011ACT

250mACMOSLowDropoutVoltageRegulator

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    SS9011HBU_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN/50V/30mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多SS9011HBU_Q供应商 更新时间2025-7-24 16:01:00