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SS8841T中文资料40V/2.5A 两通道 H 桥驱动芯片数据手册LEADPOWER规格书

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厂商型号

SS8841T

功能描述

40V/2.5A 两通道 H 桥驱动芯片

制造商

LEADPOWER LEADPOWER SEMICONDUCTOR

中文名称

率能半导体 深圳率能半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 18:13:00

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SS8841T规格书详情

描述 Description

SS8841 为打印机和其它电机一体化应用提供 一种双通道集成电机驱动方案。SS8841 有两路 H 桥驱动,每个 H 桥可提供最大峰值电流 2.5A 和均 方根电流 1.75A(在 24V 和 Ta = 25°C 适当散热条 件下),可驱动两个刷式直流电机,或者一个双极 步进电机,或者螺线管或者其它感性负载。双极步 进电机可以以整步、2 细分、4 细分运行,或者用 软件实现高细分。

 SS8841 的每一个 H 桥的功率输出模块由 N 型 功率 MOSFET 组成。每个 H 桥包含整流电路和限 流电路。简单的并行数字控制接口,衰减模式可选 择为快衰减,慢衰减和混合衰减。 SS8841 提供了一种低功耗睡眠模式来关断内 部电路,以达到非常低的静态电流。这种睡眠模式 通过设置 nSLEEP 引脚来实现。内部关断功能包 含过流保护,短路保护,欠压锁定保护和过温保 护,并提供一个故障输出管脚 nFAULT 引脚。


SS8841 提供一种带有裸露焊盘的 eTSSOP28 封装,能有效改善散热性能,且是无铅产品,引脚 框架采用 100%无锡电镀。

特性 Features

双通道 H 桥电流控制电机驱动器 –单个或两个有刷直流电机 –一个步进电机

PWM 控制接口

固定频率下电流控制可选择 – 2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶

低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) – 24V,Ta = 25°C 时可实现 2.5A 最大驱动 电流 – 24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 350mΩ(典 型值 HS + LS)

8.2~40V 工作电压范围

睡眠模式低电流

内置 3.3V 基准电压

带散热片的表面贴装封装

保护特性 – 过流保护 (OCP) – 热关断 (TSD)  – 欠压闭锁 (UVLO) – 故障显示 Pin(nFAULT)
 

应用 Application

打印机

安防

扫地机器人

技术参数

  • 制造商编号

    :SS8841T

  • 生产厂家

    :LEADPOWER

  • 内置全桥

    :2

  • 均值/峰值电流

    :1.75A/2.5A

  • 控制接口

    :4路PWM

  • 导通电阻

    :0.35Ω

  • 封装

    :eTSSOP28

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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