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SS8550-J	文件：565.5 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors PNPTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=-1.5A	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
SS8550-L	文件：565.5 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors PNPTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=-1.5A	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
SS8550-L-HF	文件：545.27 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors Features -EpoxymeetsUL-94V-0flammability rating. -MoisturesensitivityLevel1. -Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
SS8550T	文件：110.75 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor Powerdissipation PCM:1W CollectorCurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55℃~+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SS8550-TA	文件：576.66 Kbytes Page：6 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
SS8550W	文件：182.63 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SS8550W	文件：309.17 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SS8550W	文件：278.39 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
SS8550W	文件：162.28 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●CollectorDissipation:PC=0.2W(TC=25°C) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SS8550W	文件：120.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistor Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage FEATURES V(BR)CBO:-40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55℃~+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

产品属性

产品编号：
SS8550-C-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 80mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
190MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS PNP 25V 1.5A TO92

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更多SS8550-C-AP供应商更新时间2025-7-25 13:56:00

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