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ST8050U	文件：148.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC8050	文件：98.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor 2WOutputAmplifierofPortableRadiosin ClassBPush-pullOperation. •ComplimentarytoSTC8550 •CollectorCurrent:IC=1.5A •CollectorPowerDissipation:PC=2W(TC=25°C)	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
STC8050N	文件：244.18 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Highcurrentapplication •RadioinclassBpush-pulloperation Feature •ComplementarypairwithSTA8550N	AUK AUK corp	AUK
STC8050SF	文件：258.14 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Highcurrentapplication •RadioinclassBpush-pulloperation Feature •ComplementarypairwithSTA8550SF	AUK AUK corp	AUK
STK8050	文件：38.67 Kbytes Page：1 Pages	BLOCKDIAGRAMOFICS •ThisisthebasicblockdiagramoftheinsidecircuitofIC.Inan actualcircuit,theremaybesometimesidleterminalsorsomedifferent functionsotherthanthebasiccircuit	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
STS8050	文件：242.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STS8050	文件：87.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
STS8050	文件：242.86 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Highcurrentapplication •RadioinclassBpush-pulloperation Feature •ComplementarypairwithSTS8550	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SVISTK8050	文件：38.67 Kbytes Page：1 Pages	BLOCKDIAGRAMOFICS •ThisisthebasicblockdiagramoftheinsidecircuitofIC.Inan actualcircuit,theremaybesometimesidleterminalsorsomedifferent functionsotherthanthebasiccircuit	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
TA8050AK	文件：274.13 Kbytes Page：8 Pages	1.5AMOTORDRIVERWITHBRAKEFUNCTION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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产品属性

产品编号：
SS8050BBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 80mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 1.5A TO92-3

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