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SS8050	文件：316.15 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES ● Complimentary to SS8550 ● Power Dissipation PCM : 0.3W ● Collector Current ICM : 1.5A ● Collector - Base Voltage V(BR)CBO : 40V ● Operating & Storage junction temperature TJ, TSTG : -55℃ ~ +150℃ 文件：316.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SS8050	文件：861.17 Kbytes Page：4 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-23；T RANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to SS8550 文件：861.17 Kbytes 页数：4 Pages	SY 顺烨电子	SY
SS8050	文件：289.69 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power Dissipation PCM : 1 W (TA=25.) : 2 W (TC=25.) 文件：289.69 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
SS8050	文件：58.37 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Power Dissipation PCM : 1 W (Tamb=25°C) ● Collector Current ICM : 1.5 A ● Collector - Base Voltage V(BR)CBO : 40V 文件：58.37 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
SS8050	文件：1.52468 Mbytes Page：3 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 1.5A） ● Complementary To SS8550. ● Collector dissipation:PC=300mW(TC=25℃) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：1.52468 Mbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
SS8050	文件：513.63 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to SS8550 文件：513.63 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
SS8050	文件：1.77566 Mbytes Page：4 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complimentary to SS8550 文件：1.77566 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
SS8050	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip Product Overview HM4002 is a low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip, which can be matched with infrared sensor unit Simple load sensing ON/OFF and delay timing function control; at the same time, the chip built-in high-precision stable LDO 2.6V output can provide Red power 文件：921.63 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
SS8050	文件：923.93 Kbytes Page：3 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors FEATURES Complimentary to SS8550 文件：923.93 Kbytes 页数：3 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
SS8050	文件：268.16 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 1.5A） ● Complementary To SS8550. ● Collector dissipation:PC=300mW(TC=25℃) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：268.16 Kbytes 页数：4 Pages	DSK	DSK

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晶体管资料

型号：
SS8050
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
190MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
40
htest：
190000000
atest：
1.5
wtest：
1

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1.2
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
120
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
1
Package Type：
TO-92-3

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