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SS1FN6中文资料Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier数据手册Vishay规格书

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厂商型号

SS1FN6

参数属性

SS1FN6 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB

功能描述

Surface-Mount Schottky Barrier Rectifier

封装外壳

DO-219AB

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-26 13:50:00

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SS1FN6规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

Low profile package
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop, low power losses

应用 Application

For use in high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection in commercial, industrial, and automotive applications.

技术参数

  • 产品编号:

    SS1FN6HM3/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, eSMP®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    90pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-219AB

  • 供应商器件封装:

    DO-219AB(SMF)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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