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SS16T	文件：1.13685 Mbytes Page：3 Pages	1.0AMP. Low VF Schottky Barrier Rectifiers Features Electrostaticdischarge(ESD)testunderIEC6100-4-2 standard>16ΚV(SS12AL~SS16AL). standard>10ΚV(SS110AL~SS120AL). Lowprofilesurfacemountedapplicationinorderto optimizeboardspace. Lowpowerloss,highefficiency. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. Ultra	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SS16T3	文件：48.78 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss,general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G	文件：48.78 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss,general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G	文件：140.64 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G	文件：280.88 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G	文件：151.82 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G_V01	文件：151.82 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS16T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
SS16T
功能描述：
肖特基二极管与整流器 1A 60V
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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