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SS120B-HF	文件：470.87 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：DO-214AA；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - Metal silicon junction, majority carrier conduction. - For surface mounted applications. - Low power loss, high efficiency. - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. - High forward surge current capability. 文件：470.87 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SS120F-HF	文件：468.65 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - Metal silicon junction, majority carrier conduction. - For surface mounted applications. - Low power loss, high efficiency. - High forward surge current capability. - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. 文件：468.65 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SS120G	文件：2.25902 Mbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：SMA；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metal silicon junction, majority carrier conduction For surface mounted applications Low power loss, high efficiency High forward surge current capability For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications 文件：2.25902 Mbytes 页数：4 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
SS120GF	文件：2.34587 Mbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metal silicon junction, majority carrier conduction For surface mounted applications Low power loss, high efficiency High forward surge current capability For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications 文件：2.34587 Mbytes 页数：4 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
SS120HE-HF	文件：479.86 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：SOD-123HE；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - Metal silicon junction, majority carrier conduction. - For surface mounted applications. - Low power loss, high efficiency. - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. 文件：479.86 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SS120-HF	文件：478.86 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS120；Package：DO-214AC；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - Metal silicon junction, majority carrier conduction - For surface mounted applications - Low power loss, high efficiency - High forward surge current capability - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications 文件：478.86 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SS120F	文件：323.77 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：323.77 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SS120F	文件：616.3 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：616.3 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SS120F	文件：475.95 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：475.95 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
SS120F-PJ	文件：808.9 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS120；Package：SMAF；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：808.9 Kbytes 页数：3 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

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晶体管资料

型号：
SS120
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DK4B,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.8

产品属性

产品编号：
SS120
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
31pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
1A, 200V, SCHOTTKY RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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