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SS05N70

700V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:938.81 Kbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

SS05N70

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CooLMOS™ 是一款革命性的高压功率 MOSFET 技术,它基于超结 (Sj)原理进行设计,由英飞凌科技公司开创。  700V CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内领先的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术由此产生的器件具备了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点,不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。 • 由于非常低的优质系数(R DS(ON)*Q g) 和 E oss),因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 产品使用简便\n• 无铅电镀无卤模具化合物\n• 根据 JEDEC,符合消费级应用要求\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

SS05N70_15

700V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:938.81 Kbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

EMD05N70CS

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 700V RDSON (MAX.) 2.5Ω ID 5A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:194.86 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMD05N70F

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 700V RDSON (MAX.) 2.5Ω ID 5A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:172.49 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

MJU05N70

700V Super Junction Power MOSFET

文件:5.08412 Mbytes 页数:7 Pages

CITC

竹懋科技

技术参数

  • VDS max:

    700.0V

  • RDS (on) max:

    1400.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    3.2A

  • Ptot max:

    28.0W

  • IDpuls max:

    8.3A

  • VGS(th) min max:

    2.5V 3.5V

  • QG :

    10.5nC 

  • Rth :

    4.4K/W 

  • RthJC max:

    4.4K/W

  • RthJA max:

    62.0K/W

  • Operating Temperature min max:

    -55.0°C 150.0°C

  • Pin Count :

    3.0Pins 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEO
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更多SS05N70供应商 更新时间2026-1-24 10:45:00