SR5E1E3数据手册ST中文资料规格书
SR5E1E3规格书详情
描述 Description
SR5E1E3、SR5E1E5、SR5E1E7 MCU系列旨在满足新型宽带隙功率技术(碳化硅和氮化镓)对增强型数字控制和高性能模拟的需求,适用于各种功率转换应用(如车载充电器和DC/DC转换器)以及高级电机控制(如牵引逆变器应用)。
此外,SR5E1E3、SR5E1E5、SR5E1E7还提供了出色的实时和安全性能,具有最高的ASIL-D级能力、安全加密服务 (HSM) 和高效率OTA重新编程能力。
特性 Features
•
•正在进行AEC-Q100汽车认证
•SR5高性能模拟MCU提供:
• 新型宽带隙技术(硅碳化物和氮化镓)所需的数字和模拟高频控制
• 卓越的实时和功能安全性能(ASIL-D能力)
• 内置成本经过优化的快速OTA(无线)重新编程能力(支持内置双映像存储功能)
• 高速安全加密服务 (HSM)
• 内核
•2个32位Arm® Cortex®‑M7,具有双精度FPU、L1缓存和DSP指令,运行速度可达300 MHz,从而达到1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz/内核 (Dhrystone 2.1)
• 分核配置,支持2个内核并行配置或1个内核锁步配置
•2个DMA引擎支持锁步配置
• 存储器
•高达2 MB的片上Flash存储器,支持同步读写
• 1920 KB代码Flash存储器,分为两个存储区,支持960 KB OTA重新编程
• 160 KB专用于HSM的代码Flash存储器
•96 KB数据Flash存储器(64 KB + 32 KB专用于HSM)
•488 KB片上通用SRAM:
• 2 × 32 KB指令TCM + 2 × 64 KB数据TCM
• 256 KB系统RAM
• 40 KB专用于HSM的系统RAM
• 安全:硬件安全模块 (HSM)
•片上高性能安全模块,符合EVITA Medium标准,带有专用RAM和Flash存储器
•运行速度最高达150 MHz的双Cortex®‑M0+内核
•用于对称加密的硬件加速器
• 安全:全新一代ASIL-D安全概念
•在架构的所有层面上采用最先进的安全措施,以最高效地实现ISO26262 ASIL-D功能
•FCCU具有增强型可配置性,可用于收集和响应故障通知
•存储器错误管理单元 (MEMU) 用于收集和报告存储器中的错误事件
•循环冗余校验 (CRC) 单元
• 增强型外围设备提供快速控制回路功能
•12个定时器:
• 2个HRTIM(高分辨率和复杂波形生成器):12个16位计数器,分辨率可达102 ps,共可实现24个PWM
• 2个16位6通道高级控制定时器,共可实现最多12个PWM
• 2个32位通用定时器,共可实现最多8个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交编码器输入
• 4个16位通用定时器,共可实现最多11个PWM,其中2个成对
• 2个16位基本定时器
•增强型模数转换器系统包括:
• 5个独立的12位SAR模拟转换器,每个转换器8个通道。单模式下采样率高达2.5 MSPS,双模式下高达5 MSPS
• 2个独立的16位Σ-Δ模拟转换器
•12位数模拟转换器 (DAC)
• 2个缓冲外部通道1 MSPS
• 8个无缓冲内部通道15 MSPS
•8个轨到轨模拟比较器,50 ns传播延迟
•硬件加速器
• 1个CORDIC,用于三角函数加速
• 通信接口
•4个模块化控制器区域网络 (MCAN) 模块,均支持灵活的数据速率 (ISO CAN-FD)
•3个UART模块,支持LIN功能
•4个串行外设接口 (SPI) 模块,其中2个可与I²S接口复用
•2个I²C模块
• 适合高性能汽车应用开发的高级调试和跟踪功能
•围绕Arm® CoreSight™-600构建
•调试接口:Arm® CoreSight™ JTAG (IEEE 1149.1) 或SWD
•4 KB嵌入式跟踪FIFO,适用于片上和片外跟踪
•用于片外跟踪的跟踪端口:可从1到8条数据线配置的并行跟踪端口
• 其他
•通过为选定内核、外设或存储器分配单独的电源模式实现出色的电源效率管理
•启动辅助Flash (BAF) 支持通过CAN或UART使用串行加载器进行工厂编程
•结温范围:-40 °C至150 °C
•集成电源方案
• 集成内部SMPS稳压器
• 3.3V电源和GPIO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
10280 |
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