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APT10050JVR	文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LLC	文件：68.49 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltage PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：67.62 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：108.31 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •IdenticalSpecific	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10050LVFR	文件：327.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10050LVR	文件：326.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10050LVR	文件：60.86 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
DEM10050C	文件：107.75 Kbytes Page：1 Pages	10.3x10.3mmMax.square,5.0mmMax.height.	Toko TOKO, Inc	Toko
DVCR10050-LF	文件：271.86 Kbytes Page：3 Pages	ELECTROLYTIC-85째C	DUBILIER dubilier	DUBILIER
DVJL10050-LF	文件：262.3 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSMD-105CLOWIMPEDANCEDVJL	DUBILIER dubilier	DUBILIER

详细参数

型号：
SR10050
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Ultrathin Miniature Package 1-channel Step-up DC/DC Converter ICs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO	23+	BGA	60000	原装正品,假一罚十	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO/三洋	2447	QFN	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO/三洋	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO/三洋	21+	BGA	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO/三洋	24+	NA/	890	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO	23+	QFN	36000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	SR10050-TBM-E	SANYO	21+	QFN	36000	原装现货假一赔十	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	SR10050-TBM-E	只做原装	24+	BGA	36520	一级代理/放心采购	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SR1005R4-R12-R	COOPER	15+ROHS	SMD	72800	原装新货/价格漂亮/长期大量供应	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SR1005R4-R12-R	COOPER	23+	SMD	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价

更多SR10050供应商更新时间2025-7-22 15:36:00

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