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SQUN700E	文件：326.87 Kbytes Page：15 Pages	Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET FEATURES • Optimized triple die package • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：326.87 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQUN700E	文件：327.16 Kbytes Page：15 Pages	Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair 文件：327.16 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SQUN700E	文件：327.8 Kbytes Page：15 Pages	Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET 文件：327.8 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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SQUN700E_V01	文件：327.8 Kbytes Page：15 Pages	Automotive 40 V N- and P-Channel Common Drain MOSFET Pair and 200 V N-Channel MOSFET 文件：327.8 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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技术参数

Package：
Triple die
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
30
PDMax. (W)：
48
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0092
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0135
Qg@10V (nC)：
23
Qgs (nC)：
4.4
Qgd (nC)：
4.3
VGS (th)Min. (V)：
1.5

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