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SQSA12CENW	文件：268.96 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQSA12CENW	文件：268.05 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQSA12CENW	文件：268.32 Kbytes Page：8 Pages	丝印：Q043；Package：PowerPAK1212-8W；Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQSA12CENW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQSA12CENW_V01	文件：268.96 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQSA12CENW_V02	文件：268.05 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8W
Channel：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
18.0
PDMax. (W)：
62.5
RDS(on)@10V (Ω)：
0.022
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.025
Qg@10V (nC)：
31.0
Qgs (nC)：
6.0
Qgd (nC)：
5.0
VGS (th)Min. (V)：
1.5
RgTyp. (Ω)：
0.5

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