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SQS486CENW	文件：260.54 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：260.54 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQS486CENW	文件：259.64 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：259.64 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQS486CENW	文件：259.899 Kbytes Page：8 Pages	丝印：Q044；Package：PowerPAK1212-8W；Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：259.899 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQS486CENW_V01	文件：260.54 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：260.54 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQS486CENW_V02	文件：259.64 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：259.64 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQS486CENW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8W
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
18.0
PDMax. (W)：
62.5
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0051
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0073
Qg@10V (nC)：
35.2
Qgs (nC)：
6.1
Qgd (nC)：
6.0
VGS (th)Min. (V)：
1.2
RgTyp. (Ω)：
1.63

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