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SQS164ELNW	文件：175.94 Kbytes Page：6 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：175.94 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS164ELNW	文件：198.99 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：198.99 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS164ELNW	文件：1.27486 Mbytes Page：5 Pages	丝印：AP65N06DF；Package：DFN3X3-8L；60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.27486 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SQS164ELNW_V01	文件：198.99 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：198.99 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS164ELNW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• AEC-Q101 qualified\n• 100 % Rg and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8SLW
Channel：
N
VDS (V)：
60
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
82
PDMax. (W)：
104
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0069
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0108
Qg@10V (nC)：
27
Qgs (nC)：
5
Qgd (nC)：
5
VGS (th)Min. (V)：
1.5
RgTyp. (Ω)：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SQS164ELNW供应商更新时间2025-10-12 11:06:00

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