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SQS141ELNW	文件：189.36 Kbytes Page：7 Pages	Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：189.36 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS141ELNW	文件：212.41 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：212.41 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS141ELNW_V01	文件：212.41 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：212.41 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SQS141ELNW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET • TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• AEC-Q101 qualified\n• 100 % Rg and UIS tested;	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8SLW
Channel：
P
VDS (V)：
-40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
101
PDMax. (W)：
192
RDS(on)@10V (Ω)：
0.01
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.014
Qg@10V (nC)：
94
Qgs (nC)：
17
Qgd (nC)：
16
VGS (th)Min. (V)：
-1.5
RgTyp. (Ω)：
1.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SQS141ELNW-T1_GE3	VISHAY(威世)	24+		7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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更多SQS141ELNW供应商更新时间2025-10-10 11:06:00

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