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SQS140ENW	文件：175.69 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 D 文件：175.69 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQS140ENW	文件：198.74 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：198.74 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQS140ENW	文件：175.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：Q402；Package：PowerPAK1212-8W；Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：175.05 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQS140ENW_V01	文件：175.69 Kbytes Page：7 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 D 文件：175.69 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQS140ENW_V02	文件：198.74 Kbytes Page：8 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • AEC-Q101 qualified • 100 Rg and UIS tested • Wettable flank terminals • Low thermal resistance with 0.75 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：198.74 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SQS140ENW	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世	Vishay

技术参数

Package：
PowerPAK 1212-8SLW
Channel：
N
VDS (V)：
40
VGS (V)：
20
IDMax. (A)：
214.0
PDMax. (W)：
197.0
RDS(on)@10V (Ω)：
0.00253
Qg@10V (nC)：
38.0
Qgs (nC)：
11.0
Qgd (nC)：
8.0
VGS (th)Min. (V)：
2.5
RgTyp. (Ω)：
1.1

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